
Sobre o Projeto
Integração de transístores de filme fino e memristors à base de óxidos em redes neuromórficas
Este projeto visa a integração de transístores de filme fino com memristores em circuitos neuromórficos através da aplicação de um material ativo comum. As características inerentes de um memristor são ideais para redes neurais artificiais. A possibilidade de computação paralela, o nível sem precedentes de integração de dispositivos e o tamanho nanométrico do elemento memristor aumentam a eficiência energética e a miniaturização de circuitos para além dos limites da tecnologia CMOS. Tanto o semicondutor quanto a camada de comutação resistiva serão construídos com base num semicondutor de óxido amorfo. Uma vez que os circuitos resultantes podem ser transparentes e flexíveis, é possível antever inúmeras e importantes aplicações. A deposição de filme fino é bem controlada e feita por deposição física de vapor, bem como por síntese baseada em solução que é inovadora e de baixo custo. Esta última abordagem permite considerar a criação de uma empresa spin-off em Portugal, uma vez que é evitada a concorrência direta com a indústria de manufatura a vácuo em larga escala.
Acrónimo
NeurOxide
Responsável
Vítor Manuel Grade Tavares
Estado
Concluído
Início
January 1, 2018
Fim
January 30, 2022
Data efectiva de fim
January 30, 2022
Orçamento Global
239 895,83 €
Financiamento
61 178,46 €
Website
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